Laser infrarouge à base de semi-conducteurs de la filière silicium

Nous présentons les récents développements scientifiques et techniques liés aux sources lasers infrarouges en micro-cavités à base d’alliages germanium-étain (GeSn). Ces alliages sont des matériaux semi-conducteurs de la filière silicium compatibles avec procédés fabrication bas coût l’industrie micro-électronique. Un enjeux est d’obtenir un alignement direct structure bande électronique ces éléments colonne IV.